我的一九八五 第一七一八章 ASML侵犯专利(第2页/共2页)


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   台积电去年7月就向ASML预定了20台65nm制程工艺的浸没式光刻机（命名为XT 1400i浸没式光刻机）的同时，为了赶时间，一条65nm制程工艺半导体生产线的基建工作就开始建设，XT 1400i浸没式光刻机原计划今年三月开始生产，8月就能到货，进入设备安装阶段，明年3月就能试生产，只比其他采用65nm制程工艺的BSEC浸没式光刻机半导体生产线晚半年左右。

    “浸没原理不是林工2002年在布鲁塞尔举行的157nm微影技术的研讨会提出来的吗？ArF激光器发射的193nm光源通过纯净水的折射，得到了波长134nm的光源，如今大家都知道纯净水作为光源介质的路径，BSEC什么时候申请浸没式光源系统专利的？”

    张仲谋面色阴沉，立马认识到了问题的严重性，计划投资18亿美元提前开工的半导体生产线遇到大麻烦了！

    国际公司发明专利申请一般需要18个月的时间，一旦BSEC不给ASML授权，ASML需要重新寻找新的浸没介质替代纯净水，一年内很难完成研制，等拿到公司发明专利，也许BSEC的40nm浸没式光刻机都研发成功了。

    张仲谋心里明白，等林本坚和ASML发现BSEC申请了纯净水作为浸没介质的专利已经来不及了，只能硬着头皮继续研究，等有结果后再说。

    (本章完)


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